[实用新型]具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器

说明书

本实用新型提供一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，是将n型接触金属层以及磊晶结构分别形成于化合物半导体基板的一下表面以及一上表面。磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层。单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组。主动层形成于单一分散式布拉格反射器组之上。电流局限层形成于主动层之上。电流局限层包括一外围氧化电流局限区以及一中央未氧化开口区。p型接触金属反射层形成于磊晶结构之上且与磊晶结构相接触。其中单一分散式布拉格反射器组以及p型接触金属反射层分别为垂直共振腔面射型激光器在主动层之下以及之上的一n型反射结构以及一p型反射结构。

技术领域

本实用新型涉及一种垂直共振腔面射型激光器，尤指具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器。

背景技术

请参阅图14，其是现有技术的垂直共振腔面射型激光器的一具体实施例。现有技术的垂直共振腔面射型激光器包括：一p型化合物半导体基板902、一p型接触金属层901、一p+型覆盖层903、一p型分散式布拉格反射器组907、一p型披覆层908、一主动层909、一下n型披覆层910、一电流局限层911、一上n型披覆层914、一n型分散式布拉格反射器组921、一n+型覆盖层918、一n型接触金属层919、一介电隔离层920以及一沟槽922。其中p型接触金属层901形成于p型化合物半导体基板902的一下表面之上。p+型覆盖层903形成于p型化合物半导体基板902的一上表面之上。p型分散式布拉格反射器组907形成于p+型覆盖层903之上。p型披覆层908形成于p型分散式布拉格反射器组907之上。主动层909形成于p型披覆层908之上。下n型披覆层910形成于主动层909之上。电流局限层911形成于下n型披覆层910之上。上n型披覆层914形成于电流局限层911之上。n型分散式布拉格反射器组921形成于上n型披覆层914之上。n+型覆盖层918形成于n型分散式布拉格反射器组921之上。其中p型分散式布拉格反射器组907由约三十个p型分散式布拉格反射器906堆叠而成。其中每一个p型分散式布拉格反射器906包括一p型砷化铝层905以及一p型砷化铝镓层904，其中p型砷化铝层905形成于p型砷化铝镓层904之上。其中n型分散式布拉格反射器组921由约三十个n型分散式布拉格反射器917堆叠而成。其中每一个n型分散式布拉格反射器917包括一n型砷化铝层915以及一n型砷化铝镓层916，其中n型砷化铝镓层916形成于n型砷化铝层915之上。槽922至少穿透n+型覆盖层918、n型分散式布拉格反射器组921、上n型披覆层914以及电流局限层911，使得在形成介电隔离层920的前，电流局限层911可凭借沟槽922露出。电流局限层911凭借沟槽922露出的部分可与氧气接触，而氧化形成一外围氧化电流局限区912；而一中央未氧化开口区913则为电流局限层911未经氧化的区域。介电隔离层920至少形成于沟槽922的内表面上，且介电隔离层920至少覆盖住露出的电流局限层911的外围氧化电流局限区912，使得电流局限层911的外围氧化电流局限区912不再继续氧化。n型接触金属层919形成于n+型覆盖层918之上。现有技术的垂直共振腔面射型激光器的出光方向是向上(图14中的箭头所示)。由于现有技术的垂直共振腔面射型激光器在上下分别具有一n型反射结构(n型分散式布拉格反射器组921)以及一p型反射结构(p型分散式布拉格反射器组907)，光是n型分散式布拉格反射器组921以及p型分散式布拉格反射器组907的磊晶结构就大约有一百二十层。而这么多层的磊晶结构会累积过多的应力，累积的应力会造成p型化合物半导体基板902的翘曲。尤其在基板尺寸越大时，基板翘曲的现象更加明显，是急需克服的困难。且应力也会影响垂直共振腔面射型激光器的特性。此外，磊晶结构层数越多，则越上层的磊晶品质就越难保持良好，这也会影响到垂直共振腔面射型激光器的特性。

实用新型内容

有鉴于此，发明人开发出简便组装的设计，能够避免上述的缺点，安装方便，又具有成本低廉的优点，以兼顾使用弹性与经济性等考量，因此遂有本实用新型的产生。