[实用新型]具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器

权利要求书

1.一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于，包括：

一化合物半导体基板，其中该化合物半导体基板具有一上表面以及一下表面；

一n型接触金属层，形成于该化合物半导体基板的该下表面之上；

一磊晶结构，形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层，其中：该单一分散式布拉格反射器组形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组；该主动层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上；该上电流局限层形成于该主动层之上，其中该上电流局限层包括一上外围氧化电流局限区以及一上中央未氧化开口区；以及

一p型接触金属反射层，形成于该磊晶结构的该上电流局限层之上，且该p型接触金属反射层与该磊晶结构相接触，其中该单一分散式布拉格反射器组是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之下的一n型反射结构，其中该p型接触金属反射层是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之上的一p型反射结构。

2.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p型接触金属反射层具有一反射率，其中该反射率大于或等于95％。

3.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该化合物半导体基板具有一通孔，其中该通孔贯穿该化合物半导体基板，其中该通孔开口向下，其中该通孔的一底部由该单一分散式布拉格反射器组所定义，其中该通孔位于相对应于该上中央未氧化开口区的下方。

4.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一下p型披覆层，其中该下p型披覆层形成于该主动层之上，该上电流局限层形成于该下p型披覆层之上。

5.根据权利要求1或4所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一p+型覆盖层，其中该p+型覆盖层形成于该上电流局限层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该p+型覆盖层之上。

6.根据权利要求5所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p+型覆盖层包括一p+型砷化铝次层以及一p+型砷化镓次层，其中该p+型砷化铝次层形成于该上电流局限层之上，该p+型砷化镓次层形成于该p+型砷化铝次层之上，该p型接触金属反射层形成于该p+型砷化镓次层之上。

7.根据权利要求1或4所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一上p型披覆层，其中该上p型披覆层形成于该上电流局限层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该上p型披覆层之上。

8.根据权利要求7所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一p+型覆盖层，其中该p+型覆盖层形成于该上p型披覆层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该p+型覆盖层之上。

9.根据权利要求8所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p+型覆盖层包括一p+型砷化铝次层以及一p+型砷化镓次层，其中该p+型砷化铝次层形成于该上p型披覆层之上，该p+型砷化镓次层形成于该p+型砷化铝次层之上，该p型接触金属反射层形成于该p+型砷化镓次层之上。

10.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一n+型覆盖层，其中该n+型覆盖层形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，该单一分散式布拉格反射器组形成于该n+型覆盖层之上。