[实用新型]一种配向膜制备装置有效
| 申请号： | 201920029023.3 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN209373314U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金山 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215634 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及微电子器件制备技术领域，公开一种配向膜制备装置，包括真空室、基板、第一蒸发机构和第二蒸发机构，第一蒸发机构和第二蒸发机构分别用于产生第一气体和第二气体，还包括第一喷头和第二喷头，其中多个第一喷头均匀分布在基板的上方，第一喷头能够将第一气体喷射至基板的顶面上；多个第二喷头均匀分布在基板的上方，第二喷头能够将第二气体喷射至基板的顶面上并与第一气体混合形成配向膜的前驱体。本实用新型提供的配向膜制备装置，可以使第一气体和第二气体定向地喷射在基板的顶面上并沉积，提高了沉积效率；另外，可以对整个基板的顶面进行全面且均匀地喷射，从而保证了配向膜厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 基板 配向膜 蒸发机构 制备装置 本实用新型 气体喷射 喷射 制备技术领域 微电子器件 沉积效率 气体混合 均匀性 前驱体 真空室 顶面 沉积 保证 | ||
【主权项】：
1.一种配向膜制备装置，包括真空室(1)以及设置在所述真空室(1)内的基板(2)、第一蒸发机构(3)和第二蒸发机构(4)，所述第一蒸发机构(3)用于受热产生第一气体，所述第二蒸发机构(4)用于受热产生第二气体，其特征在于，还包括：第一喷头(5)，与所述第一蒸发机构(3)连通，多个所述第一喷头(5)均匀分布在所述基板(2)的上方，用于将所述第一气体喷射至所述基板(2)的顶面上；第二喷头(6)，与所述第二蒸发机构(4)连通，多个所述第二喷头(6)均匀分布在所述基板(2)的上方，用于将所述第二气体喷射至所述基板(2)的顶面上并与所述第一气体混合形成所述配向膜的前驱体。
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