[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 201911424781.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111130493B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 温攀;庞慰;张兰月;张巍;杨清瑞;张孟伦 | 申请（专利权）人： | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205;H03H9/54;H03H9/70;H03H3/02;H03H3/04 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300462 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有叠置单元的半导体结构，包括：保护层；多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，其中：位于保护层与所述多个单元中的最下层单元之间的至少一个中间单元，中间单元的基底的上表面设置有多个键合结构，每个键合结构从下往上依次包括阻挡层和上金属键合层，阻挡层的材料不同于其所设置的基底的材料以及上金属键合层的材料；中间单元具有穿过其基底的多个中间基底导电通孔，中间基底导电通孔向上穿过对应键合结构的阻挡层而与上金属键合层电连接，所述中间基底导电通孔的下端与在所述中间单元下方的对应单元电连接。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单元 半导体 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺思（天津）微系统有限责任公司，未经诺思（天津）微系统有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911424781.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种频谱提取方法及装置
- 下一篇：驻波比检测方法、装置、电子设备及存储介质
