[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201911423898.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130314B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 贺腾飞;林军;张建栋;黄仁瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有介电层，在所述介电层中形成有相互间隔的插塞，并且所述介电层的顶部露出所述插塞的顶部；执行化学机械研磨步骤，在研磨垫上同时添加研磨液和去离子水，对所述介电层进行研磨，去除部分所述介电层，以露出部分所述插塞并控制所述插塞凸出所述介电层的高度，其中，所述研磨液和所述去离子水的流量比为1:0.03‑1:15，和/或所述研磨液和所述去离子水在所述研磨垫上的落点与所述研磨垫中心的距离为10cm‑12cm。所述方法可以精准控制晶圆表面整体插塞(钨‑插塞)凸出的高度在500埃以内以及其均匀性，进而获得高光洁、无损伤的表面以及稳定可靠的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
