[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911409251.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129157B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王宇澄;张子敏 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，它包括衬底层、外延层、第一U形氧化硅层、第二U形氧化硅层、第一源极多晶硅、第一U形氮化硅、第三多晶硅、第二源极多晶硅、第四栅极多晶硅、导电类型源极区、导电类型体区、覆盖氧化硅层、绝缘介质层、正面源极金属、正面栅极金属与背面金属。本发明通过淀积氮化硅并填充多晶硅形成隔离岛的方法，将第四栅极多晶硅分隔成左右两侧，从而减小栅极多晶硅与源极多晶硅的交叠面积，降低屏蔽栅器件的栅极与源极间的电容，解决了现有的屏蔽栅功率器件存在的开关损耗较高、器件开关速度低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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