[发明专利]一种银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201911407581.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111092130A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 郝瑞亭;顾康;李晓明;王云鹏;李勇;郭杰;魏国帅;马晓乐 | 申请(专利权)人: | 云南师范大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 高丽 |
地址: | 650500 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法,属于薄膜太阳电池领域。所述太阳电池包括依次连接的玻璃衬底、背电极、吸收层、缓冲层、透明导电窗口层和顶电极。所述吸收层通过在背电极上沉积一层25nm厚的Ag薄膜,再在Ag薄膜上采用旋涂法涂覆铜锌锡前驱体溶液,最后经高温硫化制得。本发明所沉积25nm厚的Ag有两方面的作用:1)Ag作为临时保护层避免了所配置的反应物溶液与背电极直接接触,从而阻止了反应物溶液对背电极的侵蚀;2)Ag掺杂对铜锌锡硫薄膜的结晶性、表面形貌和吸收层/背电极异质结接触等性能都有明显提升,可提高电池的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 铜锌锡硫 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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