[发明专利]一种构槽式功率晶体管GD端夹止结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911397781.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110957352A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李振道 | 申请（专利权）人： | 南京融芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种构槽式功率晶体管GD端夹止结构及其制备方法，包括N掺杂区6或P掺杂区5或P井区7；所述N掺杂区6和所述P掺杂区5在沟槽内的所述多晶硅（Poly‑Si）层8中相间排列，即一个所述N掺杂区6挨着一个所述P掺杂区5再挨着一个N掺杂区6，以此类推；所述N掺杂区6或P掺杂区5或P井区7在硅衬底外延片1里面，本发明提供一个新的结构，和其它结构相比，可达到节省工艺流程与成本的目的，另一方面本发明使得器件电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生的晶体管的Vbe电压让三极管导通，因而容易维持原本雪崩崩溃(UIS)的能力及降低snapback发生的机率，本发明所以能完成中高电压的产品，却又不失过保护的能力，大大提升产品的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 构槽式 功率 晶体管 gd 端夹止 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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