[发明专利]一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201911397065.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113122257A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈开敏 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C09D187/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘芙蓉 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述薄膜包括:金属有机框架层、及嵌于所述金属有机框架层的孔隙中的量子点，所述金属有机框架层中结合有酸性离子或酸性分子。本发明提供的薄膜采用结合有酸性离子或分子的金属有机框架层作为支撑结构，这些酸性基团与主体框架形成密集且强劲的氢键网络，实现了质子的高速传导，有利于空穴载流子的传输，从而提高空穴与电子的注入平衡，最终提高量子点发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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