[发明专利]一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述薄膜包括:金属有机框架层、及嵌于所述金属有机框架层的孔隙中的量子点，所述金属有机框架层中结合有酸性离子或酸性分子。本发明提供的薄膜采用结合有酸性离子或分子的金属有机框架层作为支撑结构，这些酸性基团与主体框架形成密集且强劲的氢键网络，实现了质子的高速传导，有利于空穴载流子的传输，从而提高空穴与电子的注入平衡，最终提高量子点发光二极管的性能。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)由于量子点的诱人特性而备受关注，例如精确的高斯分布，可调的发射，以及易于处理的溶液。传统的通过将量子点溶液直接沉积在衬底或功能层上得到量子点发光层的方法可能导致量子点团聚等不利结果，该方法还需优化。

限制QLED器件性能的一个主要内在因素是量子点的亮度猝灭，而引起量子点亮度猝灭的原因是大的空穴注入势垒引起的载流子注入不平衡。

金属有机框架(MOFs)为多孔聚合物，是由金属离子/簇与有机配体构筑而成，该材料具有结构可设计，孔道尺寸可调节、孔壁可功能化修饰以及高度结晶化等特点。特别是经过改性后的MOFs材料可具有良好的质子导电性能。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管，由于大的空穴注入势垒，导致载流子注入不平衡，最终影响器件的性能的问题。

本发明的技术方案如下：

一种薄膜，其中，所述薄膜包括:金属有机框架层、及嵌于所述金属有机框架层的孔隙中的量子点，所述金属有机框架层中结合有酸性离子或酸性分子。

一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

提供第一原料液，所述第一原料液包括：金属有机框架层原料和酸性离子或所述第一原料液包括金属有机框架层原料和酸性分子；

将所述第一原料液沉积于基板或功能层上，干燥，得到结合有酸性离子或酸性分子的金属有机框架层；

提供第二原料液，所述第二原料液包括量子点；

将所述第二原料液沉积于所述结合有酸性离子或酸性分子的金属有机框架层上，干燥，所述金属有机框架层的空隙中嵌入量子点，得到所述薄膜。

一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

提供第一原料液，所述第一原料液包括金属有机框架层原料和酸性离子或所述第一原料液包括金属有机框架层原料和酸性分子；

提供第二原料液，所述第二原料液包括量子点；

将所述第一原料液和第二原料液混合并沉积于基板或功能层上，干燥，得到所述薄膜。

一种量子点发光二极管，包括:阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，所述量子点发光层为本发明所述的薄膜。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上制备薄膜；

在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；

或者，提供阴极；

在所述阴极上制备薄膜；

在所述量子点发光层上制备阳极，得到所述量子点发光二极管；