[发明专利]用于混合组装的结构和包括该结构的装置的优化制造方法在审
| 申请号： | 201911377387.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384211A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | J·伯纳德 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/102;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 杨阳;林蕾 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构(100)的制造方法，该半导体结构(100)旨在通过混合方式组装至第二支撑件(201)。该半导体结构(100)包括有源层(115)，该有源层包括氮化的半导体。该方法包括：形成至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件主体(145A、145B、146A、146B)的步骤，并且在此步骤中，形成与支撑表面(101、110、111、112、113、121、131)接触的镍层(148)；以及对有源层(111、112、113)进行局部物理化学刻蚀的步骤，该有源层(111、112、113)的包括有源区域(115)的部分受镍层(148)保护。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 混合 组装 结构 包括 装置 优化 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
