[发明专利]用于混合组装的结构和包括该结构的装置的优化制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构(100)的制造方法，该半导体结构(100)旨在通过混合方式组装至第二支撑件(201)。该半导体结构(100)包括有源层(115)，该有源层包括氮化的半导体。该方法包括：形成至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件主体(145A、145B、146A、146B)的步骤，并且在此步骤中，形成与支撑表面(101、110、111、112、113、121、131)接触的镍层(148)；以及对有源层(111、112、113)进行局部物理化学刻蚀的步骤，该有源层(111、112、113)的包括有源区域(115)的部分受镍层(148)保护。

技术领域

本发明涉及半导体装置的领域，并且更具体地，涉及光电装置。

本发明的目的是一种制造旨在通过混合(hybridisation)方式组装到支撑件的半导体结构的方法，以及一种制造包括结构和支撑件的装置的方法，其中该结构通过混合方式组装到该支撑件。

背景技术

一些半导体装置的制造可能需要例如通过混合方式的操作，以在半导体结构与专用支撑件之间建立连接。这对于光电装置尤其如此，对于所述光电装置而言，所述结构可以由一种或者几种称为III-V型材料的半导体材料制成，并且所述支撑件由硅制成，可能包括基于C-MOS类型技术的用于所述结构的控制电路。

尤其是通过文献WO 2006/054005和WO 2009/115686已知，可以通过提供具有插入件的结构和具有由延展性导电材料制成的突起的支撑件来进行这种连接，该连接是通过将插入件插入到由延展性导电材料制成的所述突起中来实现的。

适于这种连接的结构(换而言之，包括所述插入件)通常在几个共同的步骤中制造，通过这些步骤，可以在同一支撑件上制造多个结构，并且包括个性化步骤，特别地包括：

-局部蚀刻至少一个有源层，在该有源层中布置了每个结构的有源区域，这种蚀刻可以使各有源区域彼此绝缘，从而彼此独立地形成所述结构；以及

-将所述结构与衬底分离。

当这种结构中的至少一个有源层包括诸如氮化镓的氮化半导体材料时，至少一个有源层的局部蚀刻步骤必须利用特别磨蚀的物理化学蚀刻工艺。因此，结果是，为了确定这种蚀刻的位置，必须使用适应的掩模，诸如由二氧化硅制成的相对较厚的硬掩模或者树脂掩模，在蚀刻有源层时这种掩模本身也被蚀刻。

因此，尽管这种制造方法能够实现结构的完美个性化，但是由于必须使用相对较厚的掩模，因此其具有实施起来相对复杂的缺点。此外，利用这种制造结构的方法，结构个性化步骤与插入件的定位不相关，因此在结构的划界与插入件之间存在严重的对准问题的风险。因此，半导体结构必须尺寸过大以限制这种风险。

发明内容

本发明旨在克服这些缺点，因此本发明的目的是公开一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构设计成通过混合方式连接到支撑衬底，该半导体结构包括至少一个氮化半导体形式的有源层，该方法比现有技术的方法更简单，使得能够形成这种半导体结构，并且在结构的划界与插入件之间提供对准。

为实现此目的，本发明涉及一种制造半导体结构的方法，该半导体结构设计成通过混合方式与支撑衬底连接，所述制造半导体结构的方法包括以下步骤：

-提供包括衬底和至少一个有源层的第一支撑件，所述有源层包括至少一种氮化的半导体材料，所述半导体结构的至少一个有源区域以及所述有源区域的至少一个第一连接区域和至少一个第二连接区域布置在所述有源层中，所述有源区域的所述第一连接区域和所述第二连接区域与所述第一支撑件的表面齐平，

-形成分别与所述第一连接区域和所述第二连接区域电接触的至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件主体，所述形成步骤包括形成覆盖所述第一支撑件的一部分表面的镍层，所述镍层布置在所述有源区域处的所述支撑表面上，至少部分地覆盖所述第一连接区域和所述第二连接区域，