[发明专利]晶圆背面固体颗粒侦测方法在审
| 申请号： | 201911363096.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128780A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金乐群;吴长明;姚振海;李玉华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面固体颗粒侦测方法。包括以下步骤：对晶圆的参考层进行光刻，在参考层上形成参考图形标记；读取参考图形标记，获得参考图形标记的位置；对准参考图形标记的位置，对晶圆的当前层进行光刻，在当前层上形成测试图形标记；测量在参考层与当前层之间，晶圆的各区域的区域套刻误差；当一区域的区域套刻误差大于阈值范围，确定区域中有热点。本发明通过测量在不同层间，晶圆的套刻误差，根据套刻误差是否符合预定阈值，即可侦测定位即使粒径很小的固体颗粒所在的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 固体 颗粒 侦测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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