[发明专利]晶圆背面固体颗粒侦测方法

权利要求书

1.一种晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，包括以下步骤：

对晶圆的参考层进行光刻，在所述参考层上形成参考图形标记；

读取所述参考图形标记，获得所述参考图形标记的位置；

对准所述参考图形标记的位置，对所述晶圆的当前层进行光刻，在所述当前层上形成测试图形标记；

测量在所述参考层与所述当前层之间，所述晶圆的各区域的区域套刻误差；

当一区域的所述区域套刻误差大于阈值范围，确定所述区域中有热点。

2.如权利要求1所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述测量在所述参考层与所述当前层之间，所述晶圆的各区域的区域套刻误差，包括：

将所述晶圆划分为若干个区域；

在所述参考层上，获取各个所述区域中对应的参考图形标记，以及所述参考图形标记相对于所述区域的区域参考坐标参数；

在所述当前层上，获取各个所述区域中对应的测试图形标记，以及所述测试图形标记相对于所述区域的区域测试坐标参数；

根据所述区域参考坐标参数和区域测试坐标参数，计算区域套刻误差。

3.如权利要求2所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述在所述参考层上，获取各个所述区域中对应的参考图形标记，以及所述参考图形标记相对于所述区域的区域参考坐标参数，包括：

在所述参考层上，识别各个所述区域中对应的参考图形标记；

确定所述参考图形标记上的特征点；

确定所述参考图形标记上的特征点相对于所述区域的坐标参数，作为所述区域参考坐标参数。

4.如权利要求2所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述在所述当前层上，获取各个所述区域中对应的测试图形标记，以及所述测试图形标记相对于所述区域的区域测试坐标参数，包括：

在所述当前层上，识别各个所述区域中的测试图形标记；

确定所述测试图形标记上的特征点；

确定所述测试图形标记上的特征点相对于所述区域的坐标参数，作为区域测试坐标参数。

5.如权利要求1所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述参考层位于所述当前层的下方。

6.如权利要求1所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，每个所述区域中包括多个芯片块，每个所述参考图形标记包括多个参考图形，每个所述测试图形标记包括多个测试图形。

7.如权利要求6所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，

在参考层中，每个所述芯片块位置处对应一个参考图形；

在当前层中，每个所述芯片位置处对应一个测试图形。

8.如权利要求6所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，在所述确定所述区域中有热点，之后还进行：

遍历形成有所述热点的区域中的芯片块；

在所述参考层上，获取各个芯片块中对应的参考图形，以及所述参考图形相对于所述芯片块的坐标参数；

在所述当前层上，获取各个芯片块中对应的测试图形，以及所述测试图形相对于所述芯片块的坐标参数；

根据所述参考图形相对于所述芯片块的坐标参数，和，所述测试图形相对于所述芯片块的坐标参数，计算芯片块套刻误差；

当一芯片块的所述芯片块套刻误差大于阈值范围，确定热点位于所述芯片块中。