[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件

摘要

本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；依次沉积第一、第二阻挡层和第一功函数层，第一阻挡层和第二阻挡层所用材料不同，第一功函数层材料与第二阻挡层材料不同；去除所述NMOS区域上的第一功函数层；在所述NMOS区域上进行处理，去除所述第一鳍片或所述第二鳍片上的所述第二阻挡层；沉积第二功函数层、第三功函数层，第二功函数层和第三功函数层所用材料不同；在所述PMOS区域上进行处理，去除所述第三鳍片或所述第四鳍片上的所述第三功函数层。