[发明专利]热处理装置有效
| 申请号: | 201911348614.8 | 申请日: | 2019-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN111029282B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
| 发明(设计)人: | 宋新丰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;魏艳新 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种热处理装置,涉及半导体制造技术领域,该热处理装置包括:反应腔室,反应腔室包括腔体和设置在腔体底部的工艺门,其中,工艺门上设置有边缘匀流通道,边缘匀流通道具有至少一个进气口和多个出气口,多个出气口位于工艺门朝向反应腔室内部的表面上,边缘匀流通道用于将吹扫气体均匀输出至反应腔室内的边缘区域。采用本发明的热处理装置可以防止吹扫气体影响反应腔室内部的气体流量和气压,从而避免吹扫气体对工艺效果产生影响。 | ||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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