[发明专利]热处理装置

说明书

本发明提供了一种热处理装置，涉及半导体制造技术领域，该热处理装置包括：反应腔室，反应腔室包括腔体和设置在腔体底部的工艺门，其中，工艺门上设置有边缘匀流通道，边缘匀流通道具有至少一个进气口和多个出气口，多个出气口位于工艺门朝向反应腔室内部的表面上，边缘匀流通道用于将吹扫气体均匀输出至反应腔室内的边缘区域。采用本发明的热处理装置可以防止吹扫气体影响反应腔室内部的气体流量和气压，从而避免吹扫气体对工艺效果产生影响。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种热处理装置。

背景技术

热处理装置（例如立式热处理设备）作为半导体制造工艺制程中的前道工艺处理设备，主要进行氧化薄膜、退火、低压力化学气相沉积（Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD）等热处理工艺。工艺过程中会通入C₂H₂Cl₂、Cl₂或HCl等腐蚀性气体。腐蚀性气体对于暴露于反应腔室内的金属工艺门（起密封作用），支撑保温桶的金属旋转盘等部件具有比较强的腐蚀性，金属部件被腐蚀后产生的腐蚀物，伴随着反应腔室内的气流附着于硅片的表面造成硅片的污染，影响工艺效果。

因此，传统的热处理装置在反应腔室的底部设置有吹扫结构，通过少量的气体在金属部件表面形成密封保护层，既对金属部件进行保护，同时也可以有效的解决金属腐蚀物对硅片污染的问题。如图1所示，传统的热处理装置，在反应腔室底部的中心位置，石英保温桶16的底座与工艺门石英板15之间形成有气体导流结构，通过工艺门12中心的吹扫结构2a和边缘的吹扫结构2b，使吹扫气体能够沿气体导流结构流动，并在其中形成正压填充，防止腐蚀性气体接触旋转盘13和工艺门12的表面，实现对旋转盘13和工艺门12中心位置的保护。另外，反应腔室底部的边缘位置，工艺门12、反应腔室的侧壁和石英板15之间也形成有气体导流结构，通过吹扫结构2a和2b，使吹扫气体能够沿该气体导流结构流动，并在其中形成正压填充，隔绝腐蚀性气体接触工艺门12的边缘表面，实现对工艺门12边缘保护。

然而，在传统的热处理装置中，吹扫结构2b的吹扫气体进入反应腔室后，工艺门边缘处的吹扫气流分布不均匀，如果吹扫结构2b的吹扫气体的流量较小，则距离吹扫结构2b出气口较远的位置不能形成气体保护；如果吹扫结构2b的吹扫气体的流量较大，则会对反应腔室内部的气流均匀性造成影响。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种热处理装置。

为了实现上述目的，本发明提供了一种热处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室包括腔体和设置在所述腔体底部的工艺门，其中，所述工艺门上设置有边缘匀流通道，所述边缘匀流通道具有至少一个进气口和多个出气口，所述多个出气口位于所述工艺门朝向所述反应腔室内部的表面上，所述边缘匀流通道用于将吹扫气体均匀输出至所述反应腔室内的边缘区域。

可选地，所述边缘匀流通道沿所述工艺门的周向设置，所述多个出气口沿所述工艺门的周向均匀排布。

可选地，所述反应腔室的底部区域设置有排气结构，所述排气结构用于将所述反应腔室内的至少一部分所述吹扫气体排出所述反应腔室。

可选地，所述工艺门通过连接件与所述腔体的侧壁相连；

所述排气结构包括：第一排气通道、第二排气通道和排气管路；所述第一排气通道、所述第二排气通道和所述排气管路依次连通；

所述第一排气通道设置在所述连接件内部且与所述反应腔室的内部连通，所述第二排气通道设置在所述工艺门的内部，所述排气管路与所述第二排气通道连通，并伸出所述工艺门。

可选地，所述第一排气通道为多个，均与所述第二排气通连通。

可选地，所述多个第一排气通道沿所述连接件的周向均匀排布。