[发明专利]用于半导体单晶生长中的温度控制的系统和方法有效
| 申请号： | 201911346042.X | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112080793B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 薛抗美;刘林艳;高海棠 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;闫小龙 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于半导体单晶生长的温度控制系统和方法，包括：图像采集装置，用于捕获固液界面处生长的晶棒的棱线的图像，从而确定所述界面处所述棱线的宽度；加热装置，用于对坩埚加热；以及温控装置，用于对所述加热装置的加热功率进行控制，其中所述温控装置根据所述棱线宽度来对所述加热装置进行功率控制。根据本发明的温度控制系统和方法可显著地减少生长的半导体单晶的缺陷，并且可帮助降低生产成本、提高生产效率等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 生长 中的 温度 控制 系统 方法 | ||
【主权项】：
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