[发明专利]一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法在审
申请号: | 201911341070.2 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN110890361A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 杨显精;仇利民;张守明;戴剑;吴月挺;李洪朋;俞鸿骥;韩红岩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶讯科技股份有限公司;北京时代华诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/8222 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 陈松 |
地址: | 215163 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法,其具有多端口的保护功能,整体泄流能力和稳定性好,保护响应速度快、应用范围广:其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元,包括:衬底,具有第一导电类型;基区,具有第二导电类型;第一高掺杂扩散区,具有第二导电类型;发射区,具有第一导电类型,发射区与基区之间形成短路结构;环形区,具有第一导电类型,环绕基区设置;高掺杂二次扩散区,具有第二导电类型,位于基区内且位于发射区的一侧;条形区,具有第一导电类型,位于环形区与发射区之间,且与环形区相接;第二高掺杂扩散区,具有第一导电类型,第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补;电极,设置于衬底上表面上。 | ||
搜索关键词: | 一种 多端 口低容 电压 浪涌 保护 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的