[发明专利]一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法。

背景技术

随着电子技术的飞速发展，经常会有意外的电压瞬变和浪涌电流使整机系统的性能下降，出现误动作甚至损坏。尤其是在通讯系统中，雷击、电源电压波动、电磁感应等浪涌会对通信设备造成很大影响甚至是破坏。

半导体浪涌保护器件具有精确导通、无限重复和快速响应的优越性能，是其它瞬间过压保护器件所远不能及的，如公开号为CN104900645A的中国发明专利提供了电压浪涌保护器件及其制造方法，然而，随着通信领域的发展，对于半导体浪涌保护器件的整体泄流能力和稳定性提出了更高的要求，要求其可以实现多端口的保护，此外也要求器件的电容越来越小，对于保护响应速度、应用范围的要求也越来越高。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广。

其技术方案是这样的：一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，所述保护单元包括：

衬底，具有第一导电类型；

基区，具有第二导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中；

发射区，具有第一导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述基区，所述发射区与所述基区之间形成短路结构；

环形区，具有第一导电类型，环绕所述基区设置，且从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于所述基区内且位于所述发射区的一侧；

条形区，具有第一导电类型，位于所述环形区与所述发射区之间，且与所述环形区相接，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中，所述第一高掺杂扩散区与所述第二高掺杂扩散区互补；

电极，设置于所述衬底上表面上；

其中，第一导电类型与第二导电类型互补。

进一步的，所述条形区、所述发射区、所述第一高掺杂扩散区在纵向上的中心线位于同一条纵向直线上。

进一步的，所述高掺杂二次扩散区从所述衬底上表面向下穿过所述基区延伸进入所述衬底中。

进一步的，在所述保护单元的四角上且位于所述保护单元的环形区上设置有欧姆接触孔，位于两个所述保护单元之间的欧姆接触孔横跨两个所述保护单元设置且通过金属相连。

进一步的，所述保护单元集成在同一衬底上。

进一步的，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。