[发明专利]一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，所述保护单元包括：

衬底，具有第一导电类型；

基区，具有第二导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中；

发射区，具有第一导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述基区，所述发射区与所述基区之间形成短路结构；

环形区，具有第一导电类型，环绕所述基区设置，且从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于所述基区内且位于所述发射区的一侧；

条形区，具有第一导电类型，位于所述环形区与所述发射区之间，且与所述环形区相接，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中，所述第一高掺杂扩散区与所述第二高掺杂扩散区互补；

电极，设置于所述衬底上表面上；

其中，第一导电类型与第二导电类型互补。

2.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述条形区、所述发射区、所述第一高掺杂扩散区在纵向上的中心线位于同一条纵向直线上。

3.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述高掺杂二次扩散区从所述衬底上表面向下穿过所述基区延伸进入所述衬底中。

4.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：在所述保护单元的四角上且位于所述保护单元的环形区上设置有欧姆接触孔，位于两个所述保护单元之间的欧姆接触孔横跨两个所述保护单元设置且通过金属相连。

5.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述保护单元集成在同一衬底上。

6.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述衬底的厚度为170nm-230nm。

8.一种如权利要求1所述的多端口低容电压浪涌保护芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底，在衬底上划分至少两个并排且反向的保护单元，在每个保护单元上执行以下步骤：

于衬底上形成第二导电类型的基区，第二导电类型的基区从衬底上表面向下延伸进入衬底中；

于衬底下形成第二导电类型的第一高掺杂扩散区，第二导电类型的第一高掺杂扩散区从衬底下表面向上延伸进入衬底中；

于基区上形成若干第一导电类型的发射区，第一导电类型的发射区从衬底上表面向下延伸进入基区中；

环绕基区形成第一导电类型的环形区，环形区从衬底上表面向下延伸进入衬底中；

于基区内且位于发射区的一侧形成第二导电类型的高掺杂二次扩散区；

于环形区与发射区之间形成第一导电类型的条形区，将条形区与环形区相连，条形区从衬底上表面向下延伸进入衬底中；

于衬底下形成第一导电类型的第二高掺杂扩散区，第二高掺杂扩散区从衬底下表面向上延伸进入衬底中；

于衬底上表面上形成电极。

9.根据权利要求8所述的多端口低容电压浪涌保护芯片的制作方法，其特征在于：所述发射区、所述环形区与所述条形区同时形成或所述发射区、所述环形区与所述条形区依次先后形成。