[发明专利]基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911332415.8 | 申请日： | 2019-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111009582B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;裴俊翔;吴小晗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/786;H01L29/49;H01L21/34;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。制备方法包括：将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，控制沉积腔温度；低温原子层沉积制备氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器。本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜晶体管 结构 光电 编程 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911332415.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
