[发明专利]基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器，其特征在于，器件结构由下至上依次是：Si衬底背栅电极，阻挡层，PQDs电荷俘获层，隧穿层，IGZO沟道层以及源漏电极；其中：

所述电荷俘获层为CsPbBr3、CsPbI3两种量子点的混合；

所述背栅电极为P型低阻硅衬底，电阻率0.005 Ω•cm；

所述阻挡层为低温原子层沉积工艺制备的Al2O3阻挡层，沉积温度范围为20℃-40℃，厚度范围为30nm-50nm；所述隧穿层为低温原子层沉积工艺制备的Al2O3隧穿层，沉积温度范围为20℃-40℃，厚度范围为5nm-15nm。

2.如权利要求1所述的光电编程多态存储器，其特征在于，所述IGZO沟道层厚度范围为30-50nm。

3.如权利要求1所述的光电编程多态存储器，其特征在于，所述源漏电极为电子束蒸发制备的Ti/Au，厚度范围是10/50-40/100。

4.如权利要求1-3之一所述光电编程多态存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

步骤1，将电阻率0.005 Ω•cm的低阻硅片作背栅电极，放入原子层沉积反应腔中，抽真空，沉积腔温度范围20℃-40℃；

步骤2，原子层沉积制备Al2O3阻挡层，以三甲基铝和氧等离子体作为反应源，每一个循环周期包括：0.1s-2s三甲基铝脉冲，10s-30s氮气吹扫，0.1s-10s氧气等离子体脉冲，10s-30s氮气吹扫；

步骤3，溶液法分别制备CsPbBr3、CsPbI3两种量子点，混合均匀后取适量混合量子点，旋涂于阻挡层上；

步骤4，原子层沉积制备Al2O3隧穿层，沉积腔温度和每个循环工艺与步骤2相同；

步骤5，磁控溅射生长IGZO沟道层，厚度范围为30nm-50nm；

步骤6，对步骤5得到的器件，进行紫外光刻，定义沟道图形，电子束蒸发Ti/Au电极，去胶，得到光电编程多态存储器。