[发明专利]一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法有效
| 申请号： | 201911328519.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110989288B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 周波;黎关超;刘福萌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F1/68;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 张聪聪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，该掩膜版包括：基板、以及层叠设置于基板上的至少两层掩膜层；每层掩膜层包括透光区和遮挡区，每层掩膜层的遮挡区设置为遮挡不同波段的曝光光线以形成不同的曝光图案，每层掩膜层的透光区设置为透过该掩膜版的各波段曝光光线；可见，本方案中，能够在不翻转掩膜版的情况下，形成不同的曝光图案，既节省了成本，又简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 系统 制备 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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