[发明专利]一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法有效
申请号: | 201911328519.1 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110989288B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 周波;黎关超;刘福萌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/68;G03F7/20 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 张聪聪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 系统 制备 光刻 方法 | ||
本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法,该掩膜版包括:基板、以及层叠设置于基板上的至少两层掩膜层;每层掩膜层包括透光区和遮挡区,每层掩膜层的遮挡区设置为遮挡不同波段的曝光光线以形成不同的曝光图案,每层掩膜层的透光区设置为透过该掩膜版的各波段曝光光线;可见,本方案中,能够在不翻转掩膜版的情况下,形成不同的曝光图案,既节省了成本,又简化了工艺。
技术领域
本发明涉及掩膜版技术领域,尤其涉及一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法。
背景技术
在制作电子设备的过程中,通常需要利用掩膜版来形成各种图案。比如,在制作IC(Integrated Circuit,集成电路)、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)、PCB(PrintedCircuit Boards,印刷电路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微机电系统)等各种器件的过程中,可以利用掩膜版来进行选择性曝光。
一些相关方案中,为了节省掩膜版的成本,在掩膜版的正反两面制作不同的图案,这样,一张掩膜版可以用于制作两种图案不同的电路板或者其他器件。但是这种方案中,制作图案不同的器件时,需要翻转掩膜版,工艺较复杂。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法,以简化工艺。
基于上述目的,本发明实施例提供了一种掩膜版,包括:基板、以及层叠设置于所述基板上的至少两层掩膜层;每层掩膜层包括透光区和遮挡区,每层掩膜层的所述遮挡区设置为遮挡不同波段的曝光光线以形成不同的曝光图案,每层掩膜层的透光区设置为透过该掩膜版的各波段曝光光线。
可选的,所述不同波段的曝光光线为不同波段的紫外线。
可选的,所述基板与所述掩膜层之间、以及各层掩膜层之间设置有防紫外线的支撑层,或者设置有空气间隙。
可选的,所述支撑层为SiNx膜或者为防紫外线胶水层。
可选的,该掩膜版还包括:保护层,覆盖所述基板和每层掩膜层。
掩膜版所述遮挡区为光子晶体区域。
基于上述目的,本发明实施例还提供了一种掩膜版系统,包括:光源以及上述任意一种掩膜版;所述光源用于向所述掩膜版发射入射光线。
基于上述目的,本发明实施例还提供了一种掩膜版制备方法,包括:
提供至少两个掩膜层,每个掩膜层设置为透过多个波段的曝光光线;
根据不同的曝光图案,分别在每个掩膜层上形成遮挡区;每个掩膜层的遮挡区遮挡所述多个波段的曝光光线中的其中一个波段的光线,并且每个掩膜层的遮挡区遮挡的光线波段不同;
将形成遮挡区后的每个掩膜层依次固定在基板上。
掩膜版所述根据不同的曝光图案,分别在每个掩膜层上形成遮挡区,包括:
利用飞秒激光干涉方式或者离子束注入方式,根据不同的曝光图案,分别在每个掩膜层上形成光子晶体区域,作为遮挡区。
掩膜版所述将形成遮挡区后的每个掩膜层依次固定在基板上,包括:
通过封框胶分别将形成遮挡区后的每个掩膜层依次固定在基板上。
基于上述目的,本发明实施例还提供了一种基于上述任意一种掩膜版的光刻方法,所述光刻方法包括:
提供一待曝光板卡;
确定所述待曝光板卡对应波段的曝光光线;
将所述掩膜版设置在所述待曝光板卡与光源之间;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911328519.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备