[发明专利]包括碳化硅主体的半导体器件以及制造方法有效
| 申请号： | 201911326662.7 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111354796B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | J.P.孔拉特;W.贝格纳;C.黑希特;H-J.舒尔策;A.R.施泰格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/32;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了包括碳化硅主体的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件（500）包括碳化硅主体（100），所述碳化硅主体（100）包括第一区段（171）和第二区段（172）。所述第一区段（171）位于与第二区段（172）相邻处。在所述第一和第二区段（171、172）中形成漂移区（130）。晶格缺陷区（190）位于第二区段（172）中的漂移区（130）的一部分中并且不存在于第一区段（171）的至少一部分中。在晶格缺陷区（190）中，包括间隙和空位的晶格缺陷（199）的密度是在晶格缺陷区（190）外部的漂移区（130）的一部分中的至少两倍高。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 碳化硅 主体 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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