[发明专利]包括碳化硅主体的半导体器件以及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括碳化硅主体，所述碳化硅主体包括：

第一区段和第二区段，其中所述第一区段与第二区段相邻；

在所述第一区段和第二区段中形成的漂移区；以及

在第二区段中的漂移区的一部分中的晶格缺陷区，其中晶格缺陷区中包括间隙和空位的晶格缺陷的第一密度是在晶格缺陷区外部的漂移区的一部分中包括间隙和空位的晶格缺陷的第二密度的至少两倍；

其中所述碳化硅主体包括在碳化硅主体的第二表面与漂移区之间的基底部分，其中所述基底部分和漂移区形成后侧结，并且其中所述晶格缺陷区包括在漂移区的沿着和/或靠近后侧结的部分中的下部缺陷区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述晶格缺陷区不存在于所述第一区段的至少一部分中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

在第二区段中的发射极区，其中所述发射极区在碳化硅主体的第一表面与漂移区之间，并且其中所述发射极区和漂移区形成主要pn结；以及

在第一区段中的单极电流区，其中所述单极电流区在第一表面与漂移区之间，并且其中所述单极电流区包括晶体管单元的主体区或肖特基接触的阴极区中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述晶格缺陷区包括在漂移区的沿着和/或靠近主要pn结的部分中的上部缺陷区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述上部缺陷区与主要pn结重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下部缺陷区与后侧结重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述晶格缺陷区包括多个平行的条带部分。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，包括：

多个条带形的单极电流区，

其中所述多个平行的条带部分与所述多个条带形的单极电流区平行地延伸。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，包括

多个条带形的单极电流区，

其中所述多个平行的条带部分与所述多个条带形的单极电流区横截地延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

多个单极电流区按行和列来被布置，并且其中所述晶格缺陷区形成栅格，其中所述多个单极电流区被形成在所述栅格的网眼中。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区段包括晶体管单元的主体区。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区段包括肖特基接触。

13.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供包括第一区段和第二区段的碳化硅衬底，其中所述第一区段与第二区段相邻，其中所述碳化硅衬底包括在所述第一区段和第二区段中的漂移层；以及

在第二区段中的漂移层的一部分中形成晶格缺陷区，其中晶格缺陷区中包括间隙和空位的晶格缺陷的第一密度是在晶格缺陷区外部的漂移层的一部分中包括间隙和空位的晶格缺陷的第二密度至少两倍；

其中碳化硅主体包括在碳化硅主体的第二表面与漂移区之间的基底部分，其中所述基底部分和漂移区形成后侧结，并且其中所述晶格缺陷区包括在漂移区的沿着和/或靠近后侧结的部分中的下部缺陷区。

14.根据权利要求13所述的方法，其中

不在所述第一区段的至少一部分中形成所述晶格缺陷区。