[发明专利]显示装置制造方法在审
申请号: | 201911319466.7 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN111048463A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 竹谷元伸;金荣现 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/62;H05B33/12;H05B33/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示装置制造方法,其中,显示装置可以包括:第一基板,包括有规律地布置的多个发光二极管;第二基板,包括TFT面板部,所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述发光二极管的多个薄膜晶体管(TFT),其中,所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合,从而所述各发光二极管与各TFT电连接。根据本发明,由于可以使用利用氮化物半导体的微型发光二极管构成显示装置,因此具有能够应用于可穿戴设备的高效率高分辨率,且具有功耗低的效果。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔半导体株式会社,未经首尔半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911319466.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造