[发明专利]雪崩光电二极管及制造光电组件的方法

摘要

本公开涉及雪崩光电二极管、计算或通信装置及制造光电组件的方法。三端雪崩光电二极管提供了跨光吸收区的第一可控电压降和跨光电流放大区的第二独立可控电压降。吸收区也可以具有不同于放大区的组成，使两个功能区进一步独立优化。绝缘层阻挡泄漏路径，将光电流朝向最高雪崩增益的区域重定向。所产生的高增益、低偏置雪崩光电二极管可以采用商业CMOS工艺制造于集成光学电路中，可以采用与成熟计算机架构通用的电源工作，以及可以被用于光学互连、光感测和其它应用。