[发明专利]PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911303076.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110797402A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/47;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 50213 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 401520 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括P型GaN层；所述P型单晶硅层上设有集电极，所述N型AlGaN层上设有基极，所述P型GaN层上设有发射极。本发明接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率，工艺简单且兼容现有硅基工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 集电区 发射区 基区 金属硅化物层 硅基工艺 接触界面 截止频率 器件开关 发射极 集电极 埋氧层 肖特基 衬底 下层 兼容 上层 | ||
【主权项】：
1.PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括P型GaN层；所述P型单晶硅层上设有集电极，所述N型AlGaN层上设有基极，所述P型GaN层上设有发射极；所述金属硅化物层中的金属硅化物是TiSi
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