[发明专利]沟槽MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911301611.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111129152B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王加坤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造沟槽MOSFET结构及其制造方法。包括：第一掺杂类型的半导体层；从半导体层的上表面延伸至其内部的沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层和电极导体；位于所述半导体层邻近所述沟槽的上部区域，并与所述沟槽相邻的第二掺杂类型的体区；以及位于所述半导体层邻近所述沟槽两侧的预定位置的第一掺杂类型的浮动区，其中，所述浮动区位于所述体区的下方，且不与所述体区接触。本发明提供的沟槽MOSFET结构在对其击穿电压的影响较小的情况下降低了其导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州芯迈半导体技术有限公司，未经杭州芯迈半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911301611.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：拉链自动染色系统
- 下一篇：基于词频和语义的图模型文本摘要生成方法
- 同类专利
- 专利分类
