[发明专利]一种具有粗化结构的LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201911298853.7 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110993764A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周智斌;唐海马;谢鹏杰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 闵亚红;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有粗化结构的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、N‑GAN层、多量子阱发光层和P‑GAN层，形成LED外延片；在外延片上刻蚀出芯片的形貌和N‑GAN层；在P‑GAN层上生长电流阻挡层；在P‑GAN层和电流阻挡层上生长电流扩展层；在P‑GaN层和N‑GaN层上蒸镀一层电极，分别形成P电极和N电极；在电极以外区域沉积一层粗化层，并将该粗化层刻蚀出阵列式排布的立体图形；在电极以外区域制备出透明绝缘层，得到具有粗化结构的LED芯片。本发明提供的LED芯片制备方法通过增加粗化结构能够改变光线的传播路线和出光角度，大大提升LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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