[发明专利]一种超结型MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 201911298717.8 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110957351A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 夏亮;完颜文娟;杨科 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超结型MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有P柱之间的距离缩小时受到P‑体区宽度的限制，导致JFET区的电阻比较高的问题。该器件包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P‑体区和N |
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| 搜索关键词： | 一种 超结型 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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