[发明专利]一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构在审
| 申请号： | 201911297394.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110911291A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;李杨;李守委;张爱兵;夏晨辉;颜炎洪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/304;H01L21/683;H01L21/48;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切割完成最终封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 树脂 型晶圆级扇出 集成 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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