[发明专利]一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构

权利要求书

1.一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，包括：

提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；

将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；

减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；

用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；

在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；

用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；

拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；

研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切割完成最终封装。

2.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述截止层的材料为SiO2、SiC和SiN中的一种或几种，厚度在0.1μm以上；

所述凸点为铜柱或锡球，其高度在5μm以上。

3.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述第一凹槽通过机械切割或干法刻蚀制作，所述第一凹槽的深度和宽度均在5μm以上。

4.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述第二凹槽和所述TSV通孔刻蚀至所述截止层，所述切割槽刻蚀至所述键合胶。

5.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，通过光刻、电镀工艺在TSV通孔中制作铜柱，铜柱与凸点间的截止层用激光或干法刻蚀方法打开，使所述铜柱与所述凸点相连。

6.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述第一芯片通过粘结胶粘结在所述第二凹槽中，所述第一芯片的焊盘面朝外；其中，所述粘结胶和所述干膜均为高分子材料。

7.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，通过底填料填充所述第二芯片和所述第一n层再布线之间的空隙；所述底填料和所述塑封料均为高分子材料。

8.一种树脂型晶圆级扇出集成封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，

所述硅基(101)背面依次制作有截止层(102)、凸点(103)和第一凹槽；正面刻蚀有第二凹槽、TSV通孔和切割槽，所述第二凹槽中制作有铜柱(108)，所述TSV通孔中埋有第一芯片(109)；

所述第一芯片(109)的正面填充有干膜(112)，并制作有第一n层再布线(113)；所述第一芯片(109)通过所述第一n层再布线(113)与第二芯片(114)连接；

所述硅基(101)背面通过塑封料(117)塑封，并依次制作第二n层再布线(118)、阻焊层(119)和焊球(120)，所述第二n层再布线(118)与所述凸点(103)相连。

9.如权利要求8所述的树脂型晶圆级扇出集成封装结构，其特征在于，所述树脂型晶圆级扇出集成封装结构正面塑封有塑封料(117)，所述塑封料(117)包覆所述第二芯片(114)。

10.如权利要求8所述的树脂型晶圆级扇出集成封装结构，其特征在于，所述第二芯片(114)和所述第一n层再布线(113)之间填充有底填料(115)。