[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201911284952.X | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110911536A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/08 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及发光二极管技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：缓冲层；发光外延层，包括依次层叠设置于缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，台面结构的外周壁上设置有以离子轰击方式形成且与台面结构一体设置的第一绝缘区。通过上述方式，本申请能够阻止载流子在台面结构的外周壁产生非辐射复合，进而提高Micro‑LED芯片光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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