[发明专利]一种TOPCon电池及其制作方法

摘要

本申请公开了TOPCon电池制作方法，包括获得正面具有扩散区域的硅衬底；在硅衬底的正面和侧面形成掩膜层；在硅衬底的背面形成氧化层；在氧化层背离硅衬底的表面形成掺杂型多晶硅层；去除位于正面的绕镀多晶硅；去除掩膜层；在硅衬底的正面形成第一钝化层；在掺杂型多晶硅层的背离氧化层的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离硅衬底的表面形成第一电极；在第二钝化层背离掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。该方法在形成氧化层之前在硅衬底的正面和侧面形成掩膜层，使得在形成掺杂型多晶硅层时掺杂原子不会扩散至正面和侧面，避免出现漏电现象，形成掩膜层的工艺简单，成本低且不会使电池效率降低。本申请还提供一种具有上述优点的电池。