[发明专利]一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 201911249108.3 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048413A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;何志强;刘超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法，该方法包括：在低压环境中，在碳化硅表面通过热分解正硅酸四乙酯的方法淀积50‑70nm厚度的二氧化硅；然后在氧气环境中对形成主体氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温退火；接着在氮气氛围下对氧化层进行第二次高温退火；最后在氩气对形成氧化层的碳化硅衬底进行第三次高温处理。本发明中的碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法，使得栅极氧化层更加致密，并且去除氧化过程中形成的固定氧化层电荷和界面陷阱电荷，降低栅极氧化层的界面态，提高栅极氧化层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 材料 栅极 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
