[发明专利]一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 201911249108.3 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048413A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;何志强;刘超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 材料 栅极 氧化 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将碳化硅衬底上载至低压炉管中；
(2)在第一温度下，将通过加热的正硅酸四乙酯在所述初始氧化层表面使用低压化学气相淀积的方法淀积形成主体氧化层；
(3)降低低压炉管的温度，将步骤(2)中形成主体氧化层的碳化硅衬底卸载；
(4)将步骤(3)中形成主体氧化层的碳化硅衬底上载至高温炉管中；
(5)在第二温度下，氧气气氛中，将步骤(4)中形成主体氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理；
(6)在第三温度下，氮气气氛中，将步骤(5)中形成主体氧化层的碳化硅衬底进行第二次高温热退火处理；
(7)在第三温度下，氩气气氛中，步骤(6)中形成主体氧化层的碳化硅衬底进行第三次高温热退火处理；
(8)降低高温炉管的温度，将步骤(7)中的碳化硅衬底卸载。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一温度、第二温度以及第三温度分别为650-750℃、800-1000℃和1100-1350℃。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一次高温热退火处理、第二次第一次高温热退火处理和第三次高温热退火处理时间均为1-4小时。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中，主体氧化层厚度为50-70nm。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧气、氮气和氩气的流量均为1-5slm/min。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中，加热的正硅酸四乙酯的温度为30-50℃，气体的压强为0.2-0.5mbar。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中气体的压强为850-900mbar，所述步骤(6)中气体的压强为800-900mbar，所述步骤(7)中气体的压强为800-900mbar。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(3)和步骤(4)之间的间隔时间不超过1h。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中低压炉管的温度升至第一温度过程中的温度变化速率为5-15℃/min，所述步骤(5)中高温炉管的温度升至第二温度过程中的温度变化速率为5-15℃/min。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中的第二温度变化至步骤(6)中的第三温度过程中的温度变化速率为5-15℃/min，所述步骤(6)中的第三温度变化至步骤(6)中的第三温度过程中的温度变化速率为5-15℃/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
