[发明专利]直流电弧等离子体制备SnS2纳米材料的方法有效
| 申请号: | 201911236871.2 | 申请日: | 2019-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN111204796B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 黄昊;吴爱民;刘强 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | C01G19/00 | 分类号: | C01G19/00 |
| 代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 李馨 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: |
本发明公开了一种直流电弧等离子体制备SnS |
||
| 搜索关键词: | 直流 电弧 等离子体 制备 sns2 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911236871.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。





