[发明专利]直流电弧等离子体制备SnS2纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201911236871.2 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111204796B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄昊;吴爱民;刘强 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流 电弧 等离子体 制备 sns2 纳米 材料 方法 | ||
1.一种直流电弧等离子体制备SnS2纳米材料的方法，其特征在于具有如下步骤：
通过直流电弧等离子体技术，控制直流电弧主要参数：电流为70A，将块状纯锡99.99％制得单质Sn纳米粒子作为前驱体，将0.3518g前步所制单质Sn纳米粒子与0.3798g单质硫混合均匀，单质Sn纳米粒子与单质硫的摩尔比为1:4；
然后加入到长颈玻璃瓶中，将长颈玻璃瓶抽真空，并通入少量Ar气作为保护气以使所述长颈玻璃瓶内真空度为0.03MPa，将长颈玻璃瓶瓶颈用酒精喷灯烧至熔断密封；
将上述长颈玻璃瓶转至不锈钢反应釜中，以10℃/min的速度升温至400℃并保温2h；反应结束后，自然冷却至室温，然后研磨均匀转至石英舟中，将石英舟置于真空管式炉中，将真空管式炉抽真空并通入少量Ar气作为保护气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，真空管式炉以10℃/min的速度升温至200℃，并保温2h，之后，随炉冷却至室温，得到SnS2纳米材料，制备得到的硫化锡纳米粉呈不规则片状，厚度约为50nm，同时硫化锡纳米薄片呈现团聚现象；其中，炉温升至90℃时，对真空管式炉抽真空并通入少量Ar气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，之后，每隔20min对真空管式炉抽真空并通入少量Ar气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，直至随炉冷却至90℃。
2.一种直流电弧等离子体制备SnS2纳米材料的方法，其特征在于具有如下步骤：
通过直流电弧等离子体技术，控制直流电弧主要参数：电流为70A，将块状纯锡99.99％制得单质Sn纳米粒子作为前驱体，将0.2043g前步所制单质Sn纳米粒子与0.3688g单质硫混合均匀，单质Sn纳米粒子与单质硫的摩尔比为1:6.7；然后加入到长颈玻璃瓶中，将长颈玻璃瓶抽真空，并通入少量Ar气作为保护气以使所述长颈玻璃瓶内真空度为0.03MPa，将长颈玻璃瓶瓶颈用酒精喷灯烧至熔断密封；
将上述长颈玻璃瓶转至不锈钢反应釜中，以10℃/min的速度升温至400℃并保温2h，反应结束后，自然冷却至室温，然后研磨均匀，将块状物或团聚粉体研磨成粉末状即可，转至石英舟中，将石英舟置于真空管式炉中，将真空管式炉抽真空并通入少量Ar气作为保护气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，真空管式炉以10℃/min的速度升温至200℃，并保温2h，之后，随炉冷却至室温，得到SnS2纳米材料，其中，炉温升至90℃时，对真空管式炉抽真空并通入少量Ar气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，之后，每隔20min对真空管式炉抽真空并通入少量Ar气以使所述真空管式炉内真空度为0.03MPa，直至随炉冷却至90℃。
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