[发明专利]一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法在审
| 申请号： | 201911220369.2 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111009577A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张二雄;黄泽军 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 张晓会 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法，通过避免沟槽侧壁的栅极氧化层遭受P型杂质体区注入和N型杂质源区注入造成的两次损伤，使得沟槽侧壁的栅极氧化层质量完好，起到较好的栅极与源极隔离作用，从而改善器件的栅源漏电，避免因栅源漏电导致的器件质量下降及器件失效，具有良好的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 金属 氧化物 半导体 漏电 方法 | ||
【主权项】：
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