[发明专利]电化学镀系统和工艺执行方法、形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201911215056.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261585A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 粘耀仁;张简旭珂;彭郁仁;梁耀祥;王廷君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D7/12;C25D21/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于执行电化学镀(ECP)工艺的方法包括使衬底的表面与包含要沉积的金属离子的镀液接触，将金属电镀在衬底的表面上，随着ECP工艺的进行而原位监测流过浸入镀液中的阳极和衬底之间的镀液的镀电流，以及响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，从而防止在衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。本发明的实施例还提供了电化学镀系统和形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 系统 工艺 执行 方法 形成 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
