[发明专利]一种三轴MTJ磁场传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911207892.1 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110927637A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 曹凯华;赵巍胜;李智;冷群文 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三轴MTJ磁场传感器及其制备方法，通过对基底进行斜坡处理并在斜坡上设置对应的垂直型固定层/面内型自由层正交的TMR磁传感器元件，实现三轴磁场检测；由于自由层不需要确定的磁面内各向异性，因此不需要将器件制备成长条型、椭圆形等形状各向异性，结构设计简单巧妙、集成度高；对于基底结构可通过MEMS工艺、或斜坡刻蚀等工艺实现，在斜坡处理后的基底上，沉积TMR磁传感器元件膜堆，然后通过光刻刻蚀形成磁隧道结区、底电极区，用绝缘介质填充光刻刻蚀形成的接触孔，光刻刻蚀形成电极完成制备，工艺设计简单、制备方便，而且该方案的三轴MTJ磁场传感器能够精确测量三轴磁场大小，具有较好的实际应用及推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mtj 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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