[发明专利]一种基于Sn催化气相生长高质量GaAs纳米线的方法有效
| 申请号： | 201911199458.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112877779B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨再兴;孙嘉敏;高兆峰 | 申请（专利权）人： | 山东大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B29/60;C30B25/00;C30B25/16;B01J23/14 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于Sn催化气相生长高质量GaAs纳米线的方法，包括：采用双温区气相法生长；双温区包括源区和生长区，源区放置GaAs粉末，用于提供源材料；生长区放置覆盖有Sn膜催化剂的衬底，用于纳米线的生长；源区和生长区之间放置表面活性剂，用于改良纳米线。本发明可以制备出表面光滑、直径均匀、密度高的GaAs纳米线。同时，本发明采用的化学气相沉积方法制备GaAs纳米线，条件简单，成本低廉。所采用的金属催化剂锡具有低熔点低温合金化的特点，促进了气‑液‑固生长，且不会在硅半导体中产生中间带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sn 催化 相生 长高 质量 gaas 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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