[发明专利]一种MOS器件、制造方法、集成电路及电子设备有效
| 申请号： | 201911192847.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110931361B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗军;毛淑娟;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件、制造方法、集成电路及电子设备，方法包括：在衬底的源/漏区表面形成第一金属层，以使所述第一金属向所述源/漏区扩散形成过渡层；其中，如果所述MOS器件为PMOS器件，则所述第一金属为高功函数金属，如果所述MOS器件为NMOS器件，则所述第一金属为低功函数金属；去除所述第一金属层，保留所述源/漏区表面的过渡层；在所述过渡层表面形成第二金属层；热处理使所述过渡层中的第一金属与所述衬底材料反应形成第一金属化合物。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中MOS器件源漏接触电阻率高的技术问题。提供了一种性能较优的MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 制造 方法 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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