[发明专利]一种MOS器件、制造方法、集成电路及电子设备有效
| 申请号： | 201911192847.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110931361B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗军;毛淑娟;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 制造 方法 集成电路 电子设备 | ||
1.一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底的源/漏区表面形成第一金属层，以使所述第一金属向所述源/漏区扩散形成过渡层，包括：通过自饱和特性控制所述过渡层的厚度；其中，如果所述MOS器件为PMOS器件，则所述第一金属为高功函数金属，如果所述MOS器件为NMOS器件，则所述第一金属为低功函数金属；
去除所述第一金属层，保留所述源/漏区表面的过渡层；
在所述过渡层表面形成第二金属层；
热处理使所述过渡层中的第一金属与所述衬底材料反应形成第一金属化合物；
所述第一金属层的厚度为1~10nm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件，所述第一金属为功函数大于等于5eV且小于等于5.65eV的高功函数金属。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属为Ir、Os、Co、Pt或Ni。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底的源/漏区表面形成第一金属层之前还包括：
向所述源/漏区注入掺杂离子，其中，如果所述MOS器件为PMOS器件，则所述掺杂离子为P型，如果所述MOS器件为NMOS器件，则所述掺杂离子为N型。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属为Ti、TiN或者Ti与TiN的组合。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述过渡层中的第一金属与所述衬底材料反应形成金属化合物，包括：
采用温度为400~600oC，时间为10~30 s的热处理使所述过渡层中的第一金属与所述衬底材料反应形成金属化合物。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述过渡层中的第一金属与所述衬底材料反应形成金属化合物之后，包括：
在所述第二金属层上生成第三金属层，作为所述MOS器件的源/漏极。
8.一种MOS器件，包括衬底、源/漏极和栅极，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的方法制造。
9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件，所述第一金属为功函数大于等于5eV且小于等于5.65eV的高功函数金属。
10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一金属为Co、Pt或Ni。
11.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二金属为Ti、TiN或者Ti与TiN的组合。
12.一种集成电路，包括权利要求8-11中任一项所述的MOS器件。
13.一种电子设备，包括权利要求8-11中任一项所述的MOS器件。
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