[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201911178033.4 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111048525A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 黎美楠 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，得到栅极；采用第二道光罩制程对所述第二金属层以及所述有源层进行图案化处理形成源漏极金属层，沟道以及半导体；采用第三道光罩制程对所述钝化层进行图案化处理形成接触孔以及透明电极图案，根据所述透明电极图案沉积一透明电极于所述钝化层上。本发明通过三道光罩形成薄膜晶体管的阵列基板，进而减少掩膜板的数量，减少工艺的流程和费用。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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