[发明专利]一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法在审
| 申请号： | 201911177535.5 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854065A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;李国良;向浩;朱樟明;杨力宏;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，包括如下步骤：步骤1、在硅晶片上进行刻孔；步骤2、减薄硅晶片；步骤3、分别从通孔的正反两面进行沉积；步骤4、分别从通孔的正反两面进行金属填充。该高深宽比TSV硅通孔的制备方法，与现有技术将比，在硅晶片上制备通孔后，直接进行减薄处理，然后，从正反两面进行后续的工艺处理，在保证TSV通孔填充的金属均匀的前提下，不仅效率更高，而且能够提高TSV通孔的深宽比，提高线路集成密度，具有更好的填充质量，有利于提高电子器件的集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 tsv 硅通孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
