[发明专利]阻变存储器、存算器件、芯片及阻变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 201911159814.9 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112838161A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;吕杭炳;张锐;王侃文;刘明 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阻变存储器、存算器件、芯片及阻变存储器的制备方法，该阻变存储器包括：钨栓塞，用于连接与所述阻变存储器连接的晶体管；存储单元，用于存储数据，所述存储单元位于所述钨栓塞的上方并包括：金属栓塞，位于所述钨栓塞的上方，所述金属栓塞的轴向尺寸与径向尺寸的比值小于所述钨栓塞的轴向尺寸与径向尺寸的比值，所述金属栓塞作为所述存储单元的下电极；阻变层，位于所述金属栓塞的上方，用于存储数据；上电极，位于所述阻变层的上方。由此，通过在钨栓塞上制备一个轴向尺寸与径向尺寸的比值较小的金属栓塞作为下电极，可以避免钨栓塞内部的孔洞影响阻变存储器的稳定性，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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